Punts clau d'aquest article.
Com que les assignacions de pins del paquet TO-247-4L amb pins d'origen del controlador i del paquet TO-247N sense pins d'origen del controlador són diferents, cal tenir cura a l'hora de dissenyar el disseny.
Quan el TO-247-4L està connectat al controlador de la porta, el cablejat s'ha de creuar a causa de l'assignació de pins i no és possible configurar-los a la mateixa superfície, de manera que el senyal OUT i el senyal GND2 formaran dos es generaran bucles i sobretensions en funció de l'àrea del bucle i la seva relació.
Com a contramesura, cal reduir l'àrea del bucle tant com sigui possible i igualar l'àrea del bucle (1) i del bucle (2). A més, cal considerar afegir un circuit bàsic de supressió de sobretensions o fins i tot un circuit tampó.
En aquest article, parlarem de consideracions relacionades amb el cablejat de la disposició de la placa per als productes de paquet TO-247-4L amb pins d'origen del controlador. Com que l'assignació de pins de la TO-247-4L és diferent de la del paquet convencional, s'ha de parar atenció al disseny i al cablejat.
Precaucions per a la disposició de la placa de circuits i el cablejat de TO-247-4L amb pins de font del controlador
L'assignació de pins del TO-247-4L amb pins de font del controlador és diferent de la del TO-247N convencional, tal com es descriu a l'article "Paquet amb pins de font del controlador". Aquí es tornen a mostrar els diagrames d'assignació de pins per a TO-247N, TO-247-4L amb pins font del controlador i TO-263-7L.
Les agulles de la porta de la TO-247-4L es troben a l'extrem dret davant la superfície estampada, mentre que les agulles de la porta del paquet TO{-247N convencional es troben a l'extrem esquerre. Els MOSFET solen ser impulsats per circuits integrats de controladors, però la majoria dels circuits integrats de controladors tenen assignacions de pins adequades per al paquet TO-247N convencional. A continuació es mostra un exemple del diagrama de cablejat MOSFET quan s'utilitza el controlador ROHM IC BM61S40RFV-C.
En el cas del TO-247N, el senyal de la unitat MOSFET OUT i el senyal de retorn GND2 estan disposats en el mateix ordre que els pins de la porta i de la font, de manera que es poden connectar en paral·lel a la mateixa superfície.
En canvi, al paquet TO-247-4L, els pins de la porta i els pins de la font del controlador estan disposats en l'ordre oposat als pins de l'IC del controlador, tal com es mostra a la figura, i el cablejat s'ha de creuar i no es pot configurar al mateixa cara. Per tant, tal com es mostra a la figura, el senyal OUT i el senyal GND2 formen dos bucles, i cal tenir en compte la relació d'àrea de l'àrea del bucle (1) i (2).
Normalment, els MOSFET dels paquets TO-247-4L s'utilitzen en entorns amb valors dID/dt grans. Quan el canvi de flux (dΦ/dt) causat pel seu canvi de corrent és ortogonal a aquesta àrea de bucle, es genera un potencial elèctric proporcional a l'àrea de bucle del circuit controlador. I, a determinades relacions d'àrea de bucle entre la porta i la font del MOSFET, els valors de tensió de vegades arriben a nivells que poden causar problemes com ara sobretensions positives i sobretensions negatives. Per tant, cal que l'àrea del bucle formada pel senyal OUT i el senyal GND2 sigui tan petita com sigui possible i que l'àrea del bucle (1) i del bucle (2) siguin iguals.
L'assignació de pins del paquet TO-263-7L és la mateixa que la del TO-247N, de manera que no es poden formar dos bucles com el TO-247-4L, de manera que el cablejat es pot realitzar mitjançant el mateix mètode que el convencional. Tanmateix, com que els circuits integrats del controlador de ROHM estan equipats amb pins GND2 a ambdós costats dels pins OUT del senyal de la unitat (pins 1 i 5), es poden connectar amb el mateix mètode que el paquet convencional, fins i tot a la TO-247-4L paquet.
A més, s'ha suggerit l'addició d'un circuit de supressió de sobretensió VGS en alguns articles anteriors, però tot i així, la sobretensió de VGS encara pot superar la qualificació de VGS a causa del son de l'aturada de VDS. En aquest cas, les sobretensions VGS es poden suprimir dins de l'interval nominal reduint la impedància del cablejat d'HVdc o afegint contramesures contra sobretensions, com ara circuits d'amortització a cada MOSFET. Per saber com dissenyar un circuit de memòria intermèdia, consulteu la guia d'aplicació "Com dissenyar un circuit de memòria intermèdia".